这是业界首款采用第三代10nm(1z)工艺制造的LPDDR5 DRAM。
三星电子今天宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已经开始量产业界首款16 Gb LPDDR5移动DRAM芯片。这是业界首款采用第三代10纳米(1z)技术的LPDDR5 DRAM。它的制作使用EUV平版印刷术。
新的LPDDR5内存支持6400Mbps，比大多数现代旗舰移动设备中的12Gb LPDDR5-5500芯片快16%左右。
16 GB芯片由一个封装中的八个芯片组成，带宽为51.2GB/s，制造商指出，使用第一个商用工艺流程1z可以使微电路比之前薄30%。根据1y标准，需要12个晶体(8个12 Gbps和4个8 Gbps)才能获得相同的16 GB容量。
三星已经向领先的智能手机制造商提供了16GB 1z LPDDR5芯片，用于旗舰机型。展望未来，这家韩国电子巨头计划通过使用旨在扩大温度范围和更严格的可靠性要求的芯片，将LPDDR5产品扩展到汽车市场。
