Lam Research Corp. (Nasdaq: LRCX ) 今天推出了Lam Cryo™ 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温电介质蚀刻技术，进一步扩大了其在 3D NAND 闪存蚀刻领域的领导地位。随着生成人工智能 (AI) 的普及继续推动对具有更高容量和性能的内存的需求，Lam Cryo 3.0 提供了制造未来尖端 3D NAND 的关键蚀刻能力。利用超低温度、高功率受限等离子反应器技术和表面化学创新，Lam Cryo 3.0 具有业界领先的蚀刻精度和轮廓控制。

Lam Research 全球产品部高级副总裁Sesha Varadarajan表示：“Lam Cryo 3.0 为客户迈向 1,000 层 3D NAND 铺平了道路。我们的最新技术已经使用 Lam 低温蚀刻技术生产了 500 万片晶圆，是 3D NAND 生产领域的一次突破。它能够以埃级精度创建高纵横比 (HAR) 特征，同时降低对环境的影响，蚀刻速率是传统介电工艺的两倍以上。Lam Cryo 3.0 是我们客户克服 AI 时代关键 NAND 制造障碍所需的蚀刻技术。”

到目前为止，3D NAND 主要通过堆叠垂直存储单元层来取得进展，这可以通过蚀刻深而窄的 HAR 存储通道来实现。这些特征与目标轮廓的轻微原子级偏差会对芯片的电气性能产生负面影响，并可能影响产量。Lam Cryo 3.0 经过优化，可解决这些和其他蚀刻挑战。

Counterpoint Research 联合创始人兼研究副总裁Neil Shah 表示：“人工智能正在推动云端和边缘对闪存容量和性能的需求呈指数级增长。这迫使芯片制造商在 2030 年底实现 1000 层 3D NAND 的竞赛中扩大 NAND 闪存的规模。”“Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术是超越传统技术的重大飞跃。它以近乎完美的精度和控制蚀刻出比其宽度深 50 倍以上的内存通道，实现小于 0.1% 的轮廓偏差。这一突破显著提高了先进的 3D NAND 产量和整体性能，使芯片制造商能够在人工智能时代保持竞争力。”

业界最先进的低温蚀刻技术

Lam Cryo 3.0 采用该公司独特的高功率受限等离子反应器、工艺改进和远低于 -0 o C 的温度，从而可以利用新的蚀刻化学成分。当与 Lam 最新的Vantex® 介电系统的可扩展脉冲等离子技术相结合时，蚀刻深度和轮廓控制显著提高。使用 Lam Cryo 3.0 技术，3D NAND 制造商可以蚀刻深度高达 10 微米的内存通道，特征关键尺寸从顶部到底部的偏差小于 0.1%*。

其他亮点包括：

卓越的生产效率：与传统电介质工艺相比，Lam Cryo 3.0的蚀刻速度提高了2.5倍，具有更好的晶圆间重复性，可帮助3D NAND制造商以更低的成本实现高产量。

更高的可持续性：与传统蚀刻工艺相比，Lam Cryo 可将每片晶圆的能耗降低 40%，排放量减少高达 90%。**

最大化设备投资：为了实现最佳轮廓控制和最快、最深的电介质蚀刻，Lam Cryo 3.0 可以集成到 Lam 最新的 Vantex 系统中。它还与该公司的Flex® HAR 电介质蚀刻机产品组合兼容，所有主要内存制造商都使用该产品进行 3D NAND 批量生产。