半导体制造热管理解决方案市场的行业领导者ERS ​​Electronic正在推出其最新的“高功率耗散”热卡盘系统。该技术能够对 DUT 进行精确而强大的温度控制，同时在 -60°C 至 +200°C 的温度范围内执行高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 设备的测试。

在复杂嵌入式处理器(例如用于机器学习、人工智能或数据中心的 CPU 和 GPU)以及高并行性测试(例如 DRAM 和 NAND)的温度晶圆探测过程中，需要消耗大量功率以避免过热。ERS 的新型“高功率耗散”系统可在 -40°C 下在 300 毫米卡盘上耗散高达 2.5kW 的功率，从而允许测试单个芯片以及全晶圆接触测试。作为一个附加选项，该系统在 -40°C 时具有业界最佳的 ±0.2°C 温度均匀性，在 -20°C 至 +85°C 之间甚至可降至 ±0.1°C，非常适合传感器测试。

热卡盘由多个部分组成，借助 ERS ​​的 PowerSense 专利软件，可以单独控制这些部分。当晶圆通电时，它会立即检测到不断增加的热量，并通过冷却受影响的区域来快速做出反应。

为了实现闪电般的快速散热和高温均匀性，ERS 的新型热卡盘系统配备了一个用液体而不是空气冷却的冷却器。

“对于“高功率耗散”系统，我们有意识地决定使用工程流体，因为它们使我们能够满足目标应用的耗散要求。对于所有其他主要晶圆测试操作，我们仍然倾向于使用空气作为冷却剂”，ERS 电子首席技术官Klemens Reitinger说道。“我们的解决方案的独特之处不仅在于在低温下具有出色的散热性能，而且还在于它可以与 ±0.1°C 的无与伦比的温度均匀性相结合。我们正在为该系统开发其他功能，这将提高散热性能以及进一步的截面监控，从而实现全面的动态控制。”

“ERS 的&luo;高功率耗散&ruo;热卡盘系统正在解决高端处理器以及 DRAM 和 NAND 设备测试过程中出现的一个重大问题，”上海金妮副总裁王亮表示。“随着对这些 IC 的需求不断增长，我们预计中国客户会对这个系统产生浓厚的兴趣，这就是为什么我们已经将其安装在我们与 ERS ​​位于上海的共同实验室中，以供客户评估和演示。 ”

高功率耗散卡盘系统现已可供订购。