尽管三星已经开始大规模生产其下一代5纳米芯片，但该公司也在试图改进目前的7纳米工艺。这家韩国科技巨头宣布，它已经成功地将3D堆叠技术应用于基于极紫外(EUV)的7纳米(nm)芯片。
三星将这项技术称为“扩展立方体”(extended cube)，或X-Cube，它涉及在逻辑芯片上堆叠SRAM。这是通过三星的硅通孔(TSV)技术实现的，该技术使用微小的孔来连接芯片上的各层。
这种工艺明显不同于传统系统半导体中使用的工艺，逻辑芯片(如CPU和GPU)和SRAM位于同一平面上。对于X-Cube，它将SRAM堆叠在逻辑管芯的顶部，占用空间更少，有助于更有效地节能。三星还透露，新技术将加快数据传输速度。
这家韩国科技巨头向世界保证，将继续突破新技术开发的界限，推动半导体技术的发展。我们不知道三星将首先在哪里实现芯片组，但有猜测称，Galaxy S1可能会使用Exynos 990的改进版本，而Galaxy S21 Ultra将会有5nm Exynos 1000。
