SK 海力士推出了最新的DRAM创新产品 HBM3E 内存，这是一款专为人工智能应用设计的突破性产品。该公告确立了该公司在超高性能内存领域的主导地位。样品已分发给客户进行性能验证，并于 1H24 开始量产。
HBM(高带宽内存)是指垂直排列的多个 DRAM芯片的堆叠，可大大提高数据处理速度。HBM DRAM 的发展经历了从第一代 HBM 到最新的第五代 HBM3E 的进步。值得注意的是，HBM3E 是其前身 HBM3 的增强版。
凭借在 HBM 生产方面的丰富历史，SK 海力士对此次发布评论道：“作为 HBM3 的独家制造商，我们开发出世界上最先进的 HBM3E，展示了我们深厚的专业知识和对引领 AI 内存市场的承诺。” 该公司计划在明年上半年开始大规模生产这种尖端存储器。
HBM3E 拥有每秒 1.15 TB 的惊人数据处理速度。从长远来看，它能够在一秒钟内处理 230 部全高清 (FHD) 电影，每部大小为 5 GB。
除了速度快之外，该产品还采用了最新的 Advanced MR-MUF 技术，与上一代产品相比，散热性能显着提高了 10%。此外，HBM3E 的设计具有向后兼容性。该功能为客户提供了无缝过渡，允许将 HBM3E 集成到现有的基于 HBM3 的系统中，而无需进行任何设计变更。
NVIDIA和 SK Hynix之间的长期合作伙伴关系进一步巩固了 HBM3E 的承诺。NVIDIA 超大规模和 HPC 部门副总裁 Ian Buck 对此次合作的未来表示了热情，并强调了新型 HBM3E 在彻底改变 AI 计算方面的潜力。
三星还计划于 2023 年下半年开始量产专为 AI 定制的 HBM 芯片，与 SK 海力士直接竞争。2022年，SK海力士占据HBM市场50%的份额，三星占据40%，美光占据剩余的10%。HBM 市场仅占整个 DRAM 市场的 1%。